纳微12kW氮化镓碳化硅电源革新：高效赋能AI数据中心，应对英伟达Blackwell GPU高功耗需求

纳微半导体推出12kW和8.5kW AI数据中心服务器电源，采用氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）混合技术，实现97.5%-98%的峰值效率，符合OCP和ORv3标准。其方案与兆易创新MCU结合，降低25%器件数量并减少成本，可满足英伟达Blackwell GPU的高功耗需求（单柜最高达120kW）。纳微计划今年底将氮化镓晶圆从6英寸升级至8英寸以提升产能。