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imec攻克叉片晶体管制造难题,助力半导体工艺突破1nm节点

2025-06-20
imec在2025年VSLI研讨会上宣布,其改进的外壁叉片晶体管设计解决了制造难题,推动半导体工艺向1nm及以下节点发展。该技术通过调整绝缘壁位置简化制造流程,提升晶体管密度和性能,成为GAA晶体管向CFET过渡的关键步骤。英特尔、台积电、三星等芯片制造商正采用此技术推进工艺升级。
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